Galium indium arsenida antimonida fosfida
Galium indium arsenida antimonida fosfida (GaInAsSbP atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.
Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah[1][2] dan sel termofotovoltaik.[3]
Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga0,92In0,08P0,05As0,08Sb0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.[2]
Lihat pula
- Aluminium galium fosfida
- Aluminium galium indium fosfida
- Indium galium arsenida fosfida
- Indium arsenida antimonida fosfida
- Indium galium arsenida antimonida
Referensi
- ^ Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) DOI:10.1063/1.2741147
- ^ a b Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002) DOI:10.1134/1.1500478
- ^ Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) DOI:10.1016/j.solmat.2010.08.036
 | Artikel bertopik fisika benda terkondensasi ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |