Transistor pergerakan-elektron tinggi

Artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. Silakan kembangkan artikel ini semampu Anda. Merapikan artikel dapat dilakukan dengan wikifikasi atau membagi artikel ke paragraf-paragraf. Jika sudah dirapikan, silakan hapus templat ini. (Pelajari cara dan kapan saatnya untuk menghapus pesan templat ini)

Artikel ini perlu diterjemahkan dari bahasa Inggris ke bahasa Indonesia. Artikel ini ditulis atau diterjemahkan secara buruk dari Wikipedia bahasa Inggris. Jika halaman ini ditujukan untuk komunitas bahasa Inggris, halaman itu harus dikontribusikan ke Wikipedia bahasa Inggris. Lihat daftar bahasa Wikipedia. Artikel yang sama sekali tidak diterjemahkan dapat dihapus secara cepat sesuai kriteria A2. Jika Anda ingin memeriksa artikel ini, Anda boleh menggunakan mesin penerjemah. Namun ingat, mohon tidak menyalin hasil terjemahan tersebut ke artikel, karena umumnya merupakan terjemahan berkualitas rendah.

Transistor pergerakan elektron tinggi (HEMT), juga disebut dengan FET struktur-taksejenis (HFET) atau FET terkotori-modulasi(MODFET). HEMT adalah sebuah transistor efek medan yang mencakup sebuah pertemuan antara dua bahan dengan celah-jalur yang berbeda (dengan kata lain, pertemuan tak sejenis) sebagai bahan kanal, bukannya daerah terkotori seperti pada MOSFET pada umumnya. Kombinasi bahan yang umum adalah Galium arsenid (GaAs) dengan Aluminium galium arsenid (AlGaAs), walaupun begitu ada berbagai variasi berbeda, tergantung pada penggunaan utama peranti. Peranti yang menggunakan lebih banyak indium menunjukkan performansi frekuensi tinggi yang lebih baik, sedangkan akhir-akhir ini penelitian untuk penggunaan galium nitrit sangat meningkat dikarenakan kemampuannya menangani daya tinggi.

Pada umumnya, untuk memungkinkan konduksi, semikonduktor harus dikotori dengan pengotor untuk menghasilkan elektron bebas pada lapisan. Namun ini menyebabkan elektron melambat karena bertabrakan dengan pengotor yang digunakan untuk menghasilkannya. HEMT adalah peranti pintar yang dirancang untuk menyelesaikan masalah ini.

• HBT

• Heterostructure Field Effect Transistors Diarsipkan 2007-09-27 di Wayback Machine.
• Origin of the HEMT in Japan

Artikel bertopik elektronika ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

• l
• b
• s